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[发明专利]外延基座及外延设备-CN201810903652.4在审
发明人：董晨华;林志鑫;季文明;牛景豪 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本发明提供一种外延基座，包括基座主体、环形基座外沿及多个凸块；基座主体包括用于放置待处理的晶圆的基座载台及环绕基座载台外围的环形侧壁，基座载台与环形侧壁相连接；环形基座外沿位于环形侧壁上，环形基座外沿自基座主体向远离基座主体的方向延伸本发明的外延基座，能够实现（110）晶面上的外延沉积速率相应降低，从而使晶圆边缘整体的外延生长速度趋于相同，因而在本发明的外延基座中进行外延沉积的晶圆的ESFQR相对于在传统外延基座中沉积的晶圆有极大改善采用本发明的外延设备，能有效提高外延层厚度均匀性，提高生产良率。
环形基座外延基座外沿基座主体环形侧壁晶圆载台外延沉积外延设备凸块均匀间隔排布厚度均匀性方向延伸晶圆边缘外延生长上表面外延层良率沉积环绕外围生产

[实用新型]外延基座及外延设备-CN202220841965.3有效
发明人：曹共柏;潘帅;俞登永;张斌 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种外延基座及外延设备，外延基座的第一面设置有用于装载晶圆的承载槽，承载槽的底壁包括第一接触部以及环绕第一接触部的第二接触部，第一接触部相对晶圆内凹于第二接触部，且第一接触部在执行外延工艺时与晶圆接触；第一接触部上设置有多个呈环状分布的第一凸点或第一凹坑，和/或，外延基座的第二面上设置有多个呈环状分布的第二凸点或第二凹坑。在本实用新型中，通过在外延基座的第一面设置第一凸点或第一凹坑，和/或在第二面设置第二凸点或第二凹坑，利用第一凸点及第二凹坑以提高晶圆对应区域的温度，或者利用第一凹坑及第二凸点以降低晶圆对应区域的温度，从而提高外延工艺时外延层的厚度及电阻率的均匀性
外延基座设备

[发明专利]外延衬底、外延衬底的制备方法及外延衬底作为生长外延层的应用-CN201110172964.0有效
发明人：魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2011-06-24 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延衬底，用于生长外延层，该外延衬底包括：一基底，该基底具有一图案化的表面作为外延生长面，其中，所述外延衬底进一步包括一碳纳米管层覆盖所述基底的外延生长面设置。本发明进一步提供外延衬底的制备方法及其作为生长外延层的应用。
外延衬底制备方法作为生长应用

[发明专利]外延生长方法及外延硅片-CN202211677623.3在审
发明人：张远超;王力;梁鹏欢;张奔 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种外延生长方法及外延硅片，属于半导体制造技术领域。外延生长方法，应用于外延生长设备，所述外延生长设备包括反应腔室和位于所述反应腔室内的基座，所述外延生长方法包括：将抛光后的硅片放置在所述基座上；利用硅源气体在抛光后的硅片上依次沉积预制层和外延层，使得所述预制层的致密度高于所述外延层的致密度本发明的技术方案能够抑制或防止重掺衬底中的杂质向外延层的扩散，减小重掺外延片的过渡区宽度。
外延生长方法硅片

[发明专利]外延结构制造方法和外延结构-CN201910110404.9有效
发明人：谈科伟 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2019-02-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供的外延结构制造方法和外延结构，涉及半导体技术领域。其中，外延结构制造方法包括：提供多个衬底，并基于翘曲度将所述多个衬底进行分类，得到至少一个衬底组，其中，同一衬底组中的各衬底的翘曲度属于相同的预设范围、不同衬底组中各衬底的翘曲度属于不同的预设范围；在一个衬底组中获取至少两个衬底；通过同一设备、同一工艺在所述至少两个衬底中的每一个衬底的一面外延生长形成一匹配层，以通过该匹配层和该衬底之间形成的应力对该衬底的翘曲度进行调整。通过上述方法，可以改善现有技术中通过同一设备、同一工艺进行外延生长得到的各外延结构之间存在均匀性较差的问题。
外延结构制造方法

[实用新型]硅外延基座结构及外延炉-CN202022939515.1有效
发明人：吴会旺;薛宏伟;郝东波;高国智;侯志义 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种硅外延基座结构及外延炉，涉及外延炉设备技术领域，包括基座，基座上设有用于容纳衬底的片坑，片坑内设有若干个用于向外周导送气体的排气槽，排气槽的外端延伸至片坑的外周边缘，排气槽的内端与片坑的轴线之间间隔设置本实用新型提供的硅外延基座结构，在基座的片坑底部设置了若干个排气槽，放入衬底时能够在衬底和片坑间形成用于排出气流的导送通道，避免了衬底与片坑底面之间存在气体造成二者之间的相对滑动；排气槽的设置还增加了片坑表面的粗糙度
外延基座结构

[实用新型]外延设备加热装置及外延设备-CN202222125648.4有效
发明人：张永杰;马彪;王杨;谭友强;宋海峰 -专利权人：中芯南方集成电路制造有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：一种外延设备加热装置及外延设备，其中外延设备加热装置包括：外罩，外罩内具有罩腔；固定于罩腔内的支撑柱；绕卷于支撑柱上的加热丝。
外延设备加热装置

[发明专利]外延片-CN201310523009.6在审
发明人：姜石民 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：所公开的是一种外延片，包括衬底以及设置在所述衬底上的外延结构，其中所述外延结构包括第一外延层、设置在所述第一外延层上的第二外延层，以及设置在所述第一外延层与所述第二外延层之间的第三外延层，所述第三外延层在与所述第一外延层邻近的第一边界的周围具有第一掺杂浓度，并且在与所述第二外延层邻近的第二边界的周围具有不同于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。
外延

[发明专利]外延片-CN201310520811.X在审
发明人：姜石民;金知慧 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：所公开的是一种外延片，包括衬底和设置在所述衬底上的外延结构，其中所述外延结构掺杂有n-型或p-型掺杂物并且具有10%或更小的掺杂均匀度。
外延

[发明专利]外延设备-CN201810058600.1在审
发明人：李国强;林宗贤;吴龙江 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-01-22 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种外延设备，包括：工艺腔室；位于工艺腔室中的基台，所述基台用于固定晶圆并带动所述晶圆旋转；位置检测单元，所述位置检测单元用于检测基台上的放置的晶圆是否发生偏移，并获得晶圆在基台上的偏移位置；位于基台一侧的气体供应单元本发明的外延设备能在偏移晶圆的表面形成厚度均匀的膜层。
晶圆气体供应单元工艺腔室位置检测单元外延设备偏移基台供应工艺气体偏移位置膜层表面形成膜层表面形成厚度均匀检测

[发明专利]外延设备-CN201610278856.4在审
发明人：季文明;林志鑫;刘源;保罗·邦凡蒂 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种外延设备，包括反应腔体、位于反应腔体上部的盖板以及位于反应腔体下部的托盘，通过冷却水进出口在空心中通入冷却水，用于在生长外延层的过程中降低整个反应腔室的温度，防止外延设备各部件长时间承受高温，从而能够一次生长相对较厚的外延层，并且不影响外延设备的性能及机台产能；使用射频加热线圈代替现有技术中的加热灯管，并将射频加热线圈设置为空心，在其中通入冷却水，以防止射频加热线圈的温度过高；将腔室盖板的一部分设置为透明材质
外延设备

[发明专利]外延基板-CN201980056163.2在审
发明人：堀切文正;成田好伸;盐岛谦次 -专利权人：赛奥科思有限公司;住友化学株式会社
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：外延基板具备主面为c面的GaN基板、以及在主面上外延生长的GaN层，主面具有偏离角为0.4°以上的区域，在该区域上生长的前述GaN层中的E3陷阱浓度为3.0×1013
外延

[发明专利]外延结构-CN202210963475.5在审
发明人：费远婷;陈佶亨;许广元 -专利权人：錼创显示科技股份有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明提供一种外延结构，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层以及缓冲层结构。发光层设置在第一型半导体层上。第二型半导体层设置在发光层上。
外延结构

[发明专利]外延衬底-CN201210085292.4有效
发明人：魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-03-28 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延衬底，包括：一基底，所述基底具有一外延生长面，该外延生长面具有多个凸起部与多个凸起；以及一碳纳米管层，该碳纳米管层设置于所述基底的外延生长面，并覆盖所述多个凸起部与多个凸起；其中，所述碳纳米管层与所述基底的外延生长面接触设置，所述碳纳米管层的起伏趋势与所述外延生长面的起伏趋势相同。
外延衬底

[发明专利]外延结构-CN201210122543.1有效
发明人：魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延结构，其包括：一基底，该基底具有一外延生长面，以及一外延层形成于所述基底的外延生长面，其特征在于，进一步包括一石墨烯层设置于所述外延层与基底之间。
外延结构

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